電子產(chǎn)品的先進制造業(yè)的快速發(fā)展方向為高精度（納米級的控制精度，亞納米級的加工精度）、高性能（T級的儲存量和CPU主頻）、高集成度（納米級的線寬）以及可靠性（小于1/109的千小時失效率），因此，對加工工件表面的局部平整度和整體平整度都提出了前所未有的高要求（要求達到亞納米量級的表面粗糙度），同時對超精密加工技術(shù)的水平提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

表面平整化加工的重要手段是拋光，常見的拋光技術(shù)如機械拋光、化學(xué)拋光、磁研磨拋光、流體拋光、電化學(xué)拋光、離子束轟擊拋光、浮法拋光等，均屬于局部平坦化技術(shù)，且平坦化能力從幾微米到幾十微米不等，但是國際上普遍認(rèn)為，加工工件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平坦化，而目前唯一可以提供整體平面化的表面精加工技術(shù)就是超精密化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP）。

例如在硅晶片的加工過程中，晶片通過吸附作用固定在與其同方向旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光漿料通過蠕動泵不斷的流到拋光墊上，使之在晶片和拋光墊之間持續(xù)流動，晶片表面與拋光漿料發(fā)生反應(yīng)，通過拋光頭的高速運動使反應(yīng)物不斷去除，達到使晶片表面平整、光潔度高的作用。

化學(xué)機械拋光技術(shù)是化學(xué)作用和機械作用相結(jié)合的技術(shù)，實際上其微觀過程相當(dāng)復(fù)雜，影響因素也很多。CMP設(shè)備、拋光液、拋光墊、后清洗設(shè)備、拋光終點檢測設(shè)備等等都對晶片的拋光速率和拋光質(zhì)量產(chǎn)生重要影響。其中拋光液既影響CMP化學(xué)作用過程，又影響CMP機械作用過程，是影響CMP質(zhì)量的決定性因素之一。

目前國內(nèi)外常用的拋光液有SiO2膠體（硅溶膠）拋光液、二氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液、金剛石拋光液等。