電子產(chǎn)品的先進(jìn)制造業(yè)的快速發(fā)展方向?yàn)楦呔龋{米級(jí)的控制精度，亞納米級(jí)的加工精度）、高性能（T級(jí)的儲(chǔ)存量和CPU主頻）、高集成度（納米級(jí)的線(xiàn)寬）以及可靠性（小于1/109的千小時(shí)失效率），因此，對(duì)加工工件表面的局部平整度和整體平整度都提出了前所未有的高要求（要求達(dá)到亞納米量級(jí)的表面粗糙度），同時(shí)對(duì)超精密加工技術(shù)的水平提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

表面平整化加工的重要手段是拋光，常見(jiàn)的拋光技術(shù)如機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、磁研磨拋光、流體拋光、電化學(xué)拋光、離子束轟擊拋光、浮法拋光等，均屬于局部平坦化技術(shù)，且平坦化能力從幾微米到幾十微米不等，但是國(guó)際上普遍認(rèn)為，加工工件特征尺寸在0.35μm以下時(shí)，必須進(jìn)行全局平坦化，而目前唯一可以提供整體平面化的表面精加工技術(shù)就是超精密化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP）。

例如在硅晶片的加工過(guò)程中，晶片通過(guò)吸附作用固定在與其同方向旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光漿料通過(guò)蠕動(dòng)泵不斷的流到拋光墊上，使之在晶片和拋光墊之間持續(xù)流動(dòng)，晶片表面與拋光漿料發(fā)生反應(yīng)，通過(guò)拋光頭的高速運(yùn)動(dòng)使反應(yīng)物不斷去除，達(dá)到使晶片表面平整、光潔度高的作用。

化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)是化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù)，實(shí)際上其微觀過(guò)程相當(dāng)復(fù)雜，影響因素也很多。CMP設(shè)備、拋光液、拋光墊、后清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備等等都對(duì)晶片的拋光速率和拋光質(zhì)量產(chǎn)生重要影響。其中拋光液既影響CMP化學(xué)作用過(guò)程，又影響CMP機(jī)械作用過(guò)程，是影響CMP質(zhì)量的決定性因素之一。

目前國(guó)內(nèi)外常用的拋光液有SiO2膠體（硅溶膠）拋光液、二氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液、金剛石拋光液等。